電子制造商富士康(Foxconn)開發(fā)出利用納米微粒摻雜局限層(confining layer)的方式來，借此來提升發(fā)光二極管(LED)的量子效率。這項(xiàng)美國專利的申請將挑戰(zhàn)目前l(fā)ed芯片廠的制程技術(shù)。

富士康新技術(shù)提升發(fā)光二極管的量子效率

 

6月29日消息，電子制造商富士康(Foxconn)開發(fā)出利用納米微粒摻雜局限層(confining layer)的方式來，讓氮化銦鎵(InGaN)與砷化鋁鎵(AlGaAs)活性層的晶格排列更平滑有序，借此來提升發(fā)光二極管(LED)的量子效率。這項(xiàng)美國專利的申請將挑戰(zhàn)目前l(fā)ed芯片廠的制程技術(shù)。

　　鴻海精密股份有限公司(Hon Hai Precision Industry Co)藉由集團(tuán)子公司富士康為Nokia、Apple與Dell等國際大廠代工。富士康是目前全球最大的電子制造商之一，他們宣稱以氫化的碳化硅(hydrogenated SiC)作為LED的基板材料，可以有效改善LED芯片的散熱問題。他們在5月28日提出兩項(xiàng)LED專利的申請。

　　這個總部在臺灣地區(qū)的公司申請的兩項(xiàng)LED專利，范圍包括使用InGaN或AlGaAs作為活性層、單量子阱或多重量子阱層。富士康的LED與一般LED外延結(jié)構(gòu)的差別在于，前者在活性層兩側(cè)的局限層摻雜了直徑20-200 nm的納米微粒。發(fā)明人陳杰良(Ga-Lane Chen)為鴻海集團(tuán)的首席技術(shù)官，他在專利申請書中指出，摻入的納米微粒可以是氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氧化鎵(GaO)、氮化鎵(AlN)或氮化硼(BN)，將有助于改善LED裸晶的芯片質(zhì)量。

　　專利中寫道，納米微粒可以改變n型與p型局限層的晶格常數(shù)(lattice constant)，進(jìn)而減少晶格的應(yīng)變。通過減小應(yīng)變，在n型局限層上沉積活性層以及在活性層上沉積p型局限層時，可以降低晶格錯位(dislocations)產(chǎn)生的機(jī)會。此外，晶格應(yīng)變減小也會使活性層與局限層間的應(yīng)力降低，進(jìn)而改善量子效率。

　　鴻海于2001年創(chuàng)立沛鑫半導(dǎo)體工業(yè)股份有限公司(Foxsemicon Integrated Technology Inc.，F(xiàn)ITI)，做為專門研發(fā)生產(chǎn)TFT-LCD、LED照明與led顯示器的子公司。從2006年起迄今，鴻海精密、沛鑫半導(dǎo)體與富士康已經(jīng)在美國申請了一些LED芯片的專利