據(jù)半導(dǎo)體網(wǎng)站2008年7月18日?qǐng)?bào)道，預(yù)測(cè)戰(zhàn)略分析公司的一份最新的報(bào)告《自動(dòng)化雷達(dá)：砷化鎵對(duì)硅鍺：2007-2012》認(rèn)為：自動(dòng)化雷達(dá)射頻毫米波器件需求的市場(chǎng)年平均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAAGR）到2012年將達(dá)到44%。雖然到2012年時(shí)，砷化鎵技術(shù)仍將占據(jù)決定性地位，但是所有的主承包商正在尋求在其下一代雷達(dá)平臺(tái)中采用硅技術(shù)。

2009-2012時(shí)間框架以后，砷化鎵技術(shù)將被CMOS和硅鍺（CAAGR為127%）取代，用于遠(yuǎn)程和近程雷達(dá)系統(tǒng)中。報(bào)告稱，幾乎所有的主要雷達(dá)制造商都希望在其一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)中采用硅鍺。報(bào)告預(yù)測(cè)：在2009-2012幾年間，CMOS和硅鍺在雷達(dá)系統(tǒng)中約有20-40%的滲透，但在2013年開始出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，硅技術(shù)將有望統(tǒng)治這一市場(chǎng)。