嵌入式平板電腦中采用DDR2和DDR的區(qū)別

   在嵌入式這個(gè)行業(yè)中，高性能，低功耗成了各個(gè)生產(chǎn)廠家主要目標(biāo)之一，其中像重慶海特克生產(chǎn)iTouch-150TA 15平板電腦中采用DDR2的ARM與其他采用DDR有很大的區(qū)別：

   1.在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。

   2.封裝和發(fā)熱量：DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。
　 DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時(shí)，它過長(zhǎng)的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
　 DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。

   3.DDR2采用的新技術(shù)：DDR2引入了三項(xiàng)新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS；OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整，ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器，Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。

  總的來說，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，把低功耗和高性能充分的體現(xiàn)出來。這樣在嵌入式平板電腦中，大大的降低了功耗和提高處理速度.